型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCE15TD65BT | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE1608N | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE16P07J | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE16P40Q | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE1805S | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE1810AK | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE1826K | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE18ND11U* | NCEPOWER |
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????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET | |
NCE2 | CIT |
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CIT SWITCH | |
NCE2003 | NCEPOWER |
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新洁能提供的12V~100VComplementary(N、P型互补式)MOSFET产品, |