型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NCE15TD60B | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE15TD60BD | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE15TD60BF | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE15TD60BP | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE15TD60BT | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE15TD65BF | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE15TD65BP | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE15TD65BT | NCEPOWER |
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新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCE1608N | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE16P07J | NCEPOWER |
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新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE |