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NCE2013J

更新时间： 2024-11-08 15:19:35

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	691K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE2013J 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE2013J

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE2013J uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages .This device is suitable for use as a load switching

application and a wide variety of other applications.

General Features

● V_DS= 20V,I_D= 13A

Schematic diagram

R_DS(ON)= 8.8mΩ @ V_GS=4.5V (Typ)

R_DS(ON)= 11.5mΩ @ V_GS=2.5V (Typ)

● Advanced trench MOSFET process technology

● Ultra low on-resistance with low gate charge

Pin assignment

Application

● PWM applications

● Load switch

● Battery charge in cellular handset

DFN2X2-6L bottom view

Package marking and ordering information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape Width

Quantity

NCE2013J

DFN2X2-6L

Absolute maximum ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±12

VGS

Drain Current-Continuous

Drain Current -Pulsed ^{(Note 1)}

I_D

I_DM

Maximum Power Dissipation

2.8

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

v1.0

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