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NCE2008N

更新时间: 2024-11-08 17:02:03
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
页数 文件大小 规格书
7页 287K
描述
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET产品,通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中,极大程度上优化了产品结

NCE2008N 数据手册

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http://www.ncepower.com  
SNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
NCE2008N  
D1  
D2  
G 1  
G2  
The NCE2008N uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate  
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a  
Battery protection or in other Switching application.  
S1  
S2  
Schematic diagram  
General Features  
VDS = 20V,ID =7.6A  
RDS(ON) < 27m@ VGS=2.5V  
RDS(ON) < 20m@ VGS=4.5V  
High power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
Marking and pin assignment  
Application  
Battery protection  
Load switch  
Power management  
SOT23-6L top view  
Tape width  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Quantity  
3000 units  
2008N  
NCE2008N  
SOT23-6L  
Ø330mm  
12mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter Symbol  
Limit  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
V
VDS  
VGS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±12  
Drain Current-Continuous  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
7.6  
A
30  
A
IDM  
Maximum Power Dissipation  
1.5  
W
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
83  
/W  
Electrical Characteristics (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
v1.0  

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