Datasheet > NB3N511DG

NB3N511DG

更新时间： 2024-11-24 01:11:47

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		时钟光电二极管外围集成电路晶体
页数	文件大小	规格书
6页	110K
描述
3.3V / 5.0V 14 MHz to 200 MHz PLL Clock Multiplier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NB3N511DG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
Factory Lead Time：	52 weeks	风险等级：	4.37
Samacsys Description：	NB3N511DG, PLL Frequency Multiplier, 14 → 200 MHz, 8-Pin SOIC	其他特性：	IT ALSO OPEARTES AT 5V NOMINAL SUPPLY
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	湿度敏感等级：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出时钟频率：	200 MHz
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3/5 V	主时钟/晶体标称频率：	32 MHz
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	Clock Generators	最大供电电压：	3.465 V
最小供电电压：	3.135 V	标称供电电压：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.9 mm	uPs/uCs/外围集成电路类型：	CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches：	1

NB3N511DG 数据手册

NB3N511

3.3V / 5.0V 14 MHz to

200 MHz PLL Clock

Multiplier

Description

http://onsemi.com

MARKING DIAGRAM

The NB3N511 is a clock multiplier that will generate one of nine

selectable output multiples of an input frequency via two 3−level

select inputs (S0, S1). It accepts a standard fundamental mode crystal

or an external reference clock signal. Phase−Locked−Loop (PLL)

design techniques are used to produce a low jitter, TTL level clock

output up to 200 MHz with a 50% duty cycle. An Output Enable (OE)

pin is provided, and when asserted low, the clock output goes into

tri−state (high impedance). The NB3N511 is commonly used in

electronic systems as a cost efficient replacement for crystal

oscillators

3N511

ALYWG

SOIC−8

D SUFFIX

CASE 751

3N511 = Specific Device Code

= Assembly Location

= Wafer Lot

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

Features

• Clock Output Frequencies up to 200 MHz

• Nine Selectable Multipliers of the Input Frequency

• Operating Range: V = 3.3 V ± 10% or 5.0 V ± 5%

• Low Jitter Output of 25 ps One Sigma (rms)

• Zero ppm Clock Multiplication Error

• 45% − 55% Output Duty Cycle

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 5 of this data sheet.

• TTL/CMOS Output with 25 mA TTL Level Drive

• Crystal Reference Input Range of 5 − 32 MHz

• Input Clock Frequency Range of 1 − 50 MHz

• OE, Output Enable with Tri−State Output

• 8−Pin SOIC

• Industrial Temperature Range −40°C to +85°C

• These are Pb−Free Devices

X1/ICLK

Crystal

crystal or

clock

TTL/

CMOS

Output

÷ P

Phase

Detector

Charge

Pump

Oscillator

VCO

CLKOUT

LX1

LX2

Multiplier

Select

Feedback

÷ M

S1 S0

GND

Figure 1. NB3N511 Logic Diagram

Publication Order Number:

November, 2013 − Rev. 4

NB3N511/D

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

NB3N511DG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NB3N511DR2G	ONSEMI	完全替代	3.3V / 5.0V 14 MHz to 200 MHz PLL Clock Multiplier
CDC421212RGETG4	TI	功能相似	Fully Integrated Fixed Frequency Low-Jitter Crystal Oscillator Clock Generator 24-VQFN -40
CDC421212RGET	TI	功能相似	FULLY INTEGRATED FIXED FREQUENCY LOW-JITTER, CRYSTAL-OSCILLATOR CLOCK GENERATOR

与NB3N511DG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NB3N511DR2G	ONSEMI	获取价格	3.3V / 5.0V 14 MHz to 200 MHz PLL Clock Multiplier
NB3N551	ONSEMI	获取价格	3.3 V / 5.0 V Ultra-Low Skew 1:4 Clock Fanout Buffer
NB3N551DG	ONSEMI	获取价格	3.3 V / 5.0 V Ultra-Low Skew 1:4 Clock Fanout Buffer
NB3N551DR2G	ONSEMI	获取价格	3.3 V / 5.0 V Ultra-Low Skew 1:4 Clock Fanout Buffer
NB3N551MNR4G	ONSEMI	获取价格	3.3 V / 5.0 V Ultra-Low Skew 1:4 Clock Fanout Buffer
NB3N5573	ONSEMI	获取价格	3.3V, Crystal - To- HCSL Clock Generator
NB3N5573_08	ONSEMI	获取价格	3.3V, Crystal - To- HCSL Clock Generator
NB3N5573DTG	ONSEMI	获取价格	3.3V, Crystal - To- HCSL Clock Generator
NB3N5573DTR2G	ONSEMI	获取价格	3.3V, Crystal - To- HCSL Clock Generator
NB3N65027	ONSEMI	获取价格	3.3V Programmable 3-PLL Clock Synthesizer

与NB3N511DG相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

27
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NB3N511DG

NB3N511DG 技术参数

NB3N511DG 数据手册

NB3N511DG 替代型号

与NB3N511DG相关器件

与NB3N511DG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NB3N511DG

NB3N511DG 技术参数

NB3N511DG 数据手册

NB3N511DG 替代型号

与NB3N511DG相关器件

与NB3N511DG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？