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MW6S010MR1

更新时间： 2024-01-04 02:51:21

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器
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RF Power Field Effect Transistor

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MW6S010MR1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-270	包装说明：	FLATPACK, R-PDFP-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.06	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	68 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JEDEC-95代码：	TO-270	JESD-30 代码：	R-PDFP-F2
湿度敏感等级：	3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	61.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MW6S010MR1 数据手册

Document Number: MW6S010

Rev. 1, 5/2005

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies

up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier

amplifier applications.

MW6S010NR1

MW6S010GNR1

MW6S010MR1

MW6S010GMR1

• Typical Two-Tone Performance @ 960 MHz, V_DD= 28 Volts, I_DQ

125 mA, P_out= 10 Watts PEP

Power Gain — 18 dB

Drain Efficiency — 32%

IMD — -37 dBc

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 960 MHz, 10 Watts CW

Output Power

450-1500 MHz, 10 W, 28 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND RF POWER MOSFETs

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• On-Chip RF Feedback for Broadband Stability

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

• Integrated ESD Protection

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations

• 200°C Capable Plastic Package

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

CASE 1265-08, STYLE 1

TO-270-2

PLASTIC

MW6S010NR1(MR1)

CASE 1265A-02, STYLE 1

TO-270-2 GULL

PLASTIC

MW6S010GNR1(GMR1)

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-0.5, +68

-0.5, +12

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

61.4

0.35

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +175

200

°C

stg

Table 2. Thermal Characteristics

(1.2)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

Case Temperature 80°C, 10 W PEP

2.85

1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access

the MTTF calculators by product.

2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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