Datasheet > MW6S010NR1

MW6S010NR1

更新时间： 2024-02-19 21:15:55

品牌	Logo	应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管射频光电二极管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
16页	541K
描述
RF Power Field Effect Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MW6S010NR1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOF
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1265-09, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	68 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JEDEC-95代码：	TO-270AA	JESD-30 代码：	R-PDFM-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MW6S010NR1 数据手册

Document Number: MW6S010

Rev. 1, 5/2005

Freescale Semiconductor

Technical Data

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies

up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier

amplifier applications.

MW6S010NR1

MW6S010GNR1

MW6S010MR1

MW6S010GMR1

• Typical Two-Tone Performance @ 960 MHz, V_DD= 28 Volts, I_DQ

125 mA, P_out= 10 Watts PEP

Power Gain — 18 dB

Drain Efficiency — 32%

IMD — -37 dBc

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 960 MHz, 10 Watts CW

Output Power

450-1500 MHz, 10 W, 28 V

LATERAL N-CHANNEL

BROADBAND RF POWER MOSFETs

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• On-Chip RF Feedback for Broadband Stability

• Qualified Up to a Maximum of 32 V_DDOperation

• Integrated ESD Protection

• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations

• 200°C Capable Plastic Package

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

CASE 1265-08, STYLE 1

TO-270-2

PLASTIC

MW6S010NR1(MR1)

CASE 1265A-02, STYLE 1

TO-270-2 GULL

PLASTIC

MW6S010GNR1(GMR1)

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-0.5, +68

-0.5, +12

DSS

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

61.4

0.35

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +175

200

°C

stg

Table 2. Thermal Characteristics

(1.2)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

Case Temperature 80°C, 10 W PEP

2.85

1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access

the MTTF calculators by product.

2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...16

下载PDF

与MW6S010NR1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MW6S010NR1_09	FREESCALE	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs	获取价格
MW7IC008NT1	FREESCALE	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier	获取价格
MW7IC008NT1_11	FREESCALE	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below --60	获取价格
MW7IC18100GNR1	FREESCALE	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	获取价格
MW7IC18100NBR1	FREESCALE	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	获取价格
MW7IC18100NR1	FREESCALE	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	获取价格

与MW6S010NR1相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

12
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MW6S010NR1

MW6S010NR1 技术参数

MW6S010NR1 数据手册

与MW6S010NR1相关器件

与MW6S010NR1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MW6S010NR1

MW6S010NR1 技术参数

MW6S010NR1 数据手册

与MW6S010NR1相关器件

与MW6S010NR1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？