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MW7IC2040NR1

更新时间： 2024-01-25 09:03:03
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 放大器射频微波功率放大器高功率电源
页数 文件大小 规格书
29页 921K
描述
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

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MW7IC2040NR1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLNG,.67"H.SPACE
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.61
Is Samacsys：N特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：29.5 dB
最大输入功率 (CW)：25 dBmJESD-609代码：e3
功能数量：1最大工作频率：1990 MHz
最小工作频率：1805 MHz封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：FLNG,.67"H.SPACE电源：28 V
射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER子类别：RF/Microwave Amplifiers
技术：MOS端子面层：Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比：5Base Number Matches：1

MW7IC2040NR1 数据手册

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Document Number: MW7IC2040N  
Rev. 1, 11/2009  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF LDMOS Wideband Integrated  
Power Amplifiers  
The MW7IC2040N wideband integrated circuit is designed with on-chip  
matching that makes it usable from 1805 to 1990 MHz. This multi-stage  
structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base  
station modulation formats.  
MW7IC2040NR1  
MW7IC2040GNR1  
MW7IC2040NBR1  
• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1  
=
130 mA, IDQ2 = 330 mA, Pout = 4 Watts Avg., f = 1932.5, Channel  
1930-1990 MHz, 1805-1880 MHz,  
4 W AVG., 28 V  
SINGLE W-CDMA, GSM EDGE, GSM  
RF LDMOS WIDEBAND  
Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability  
on CCDF.  
Power Gain — 32 dB  
Power Added Efficiency — 17.5%  
ACPR @ 5 MHz Offset — -50 dBc in 3.84 MHz Bandwidth  
INTEGRATED POWER AMPLIFIERS  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 32 Vdc, 1960 MHz, 50 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout  
)
• Stable into a 3:1 VSWR. All Spurs Below -60 dBc @ 100 mW to 40 Watts  
CASE 1886-01  
TO-270 WB-16  
PLASTIC  
CW Pout  
.
• Typical Pout @ 1 dB Compression Point ' 30 Watts CW  
GSM EDGE Application  
MW7IC2040NR1  
• Typical GSM EDGE Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 90 mA, IDQ2  
430 mA, Pout = 16 Watts Avg., 1805-1880 MHz  
Power Gain — 33 dB  
=
CASE 1887-01  
TO-270 WB-16 GULL  
PLASTIC  
Power Added Efficiency — 35%  
Spectral Regrowth @ 400 kHz Offset = -62 dBc  
Spectral Regrowth @ 600 kHz Offset = -77 dBc  
EVM — 1.5% rms  
MW7IC2040GNR1  
GSM Application  
• Typical GSM Performance: VDD = 28 Volts, IDQ1 = 90 mA, IDQ2 = 430 mA,  
CASE 1329-09  
TO-272 WB-16  
PLASTIC  
P
out = 40 Watts CW, 1805-1880 MHz and 1930-1990 MHz  
Power Gain — 31 dB  
Power Added Efficiency — 50%  
Features  
MW7IC2040NBR1  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
and Common Source S-Parameters  
• On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked, >3 Ohm Output)  
• Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/  
Disable Function (1)  
• Integrated ESD Protection  
• 225°C Capable Plastic Package  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.  
GND  
V
V
1
2
3
4
5
GND  
NC  
16  
15  
DS1  
GS2  
V
GS1  
NC  
V
DS1  
RF  
RF /V  
out DS2  
6
14  
in  
NC  
7
8
RF  
RF /V  
out DS2  
V
in  
GS1  
V
V
GND  
9
10  
11  
GS2  
NC  
GND  
13  
12  
DS1  
V
GS1  
V
GS2  
V
DS1  
Quiescent Current  
Temperature Compensation  
(1)  
(Top View)  
Note: Exposed backside of the package is  
the source terminal for the transistors.  
Figure 1. Functional Block Diagram  
Figure 2. Pin Connections  
1. Refer to AN1977, Quiescent Current Thermal Tracking Circuit in the RF Integrated Circuit Family and to AN1987, Quiescent Current Control  
for the RF Integrated Circuit Device Family. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes - AN1977 or AN1987.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2009. All rights reserved.  
1234567...29

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MW7IC2220GNR1 FREESCALE

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