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MTP3N100EWC

更新时间: 2024-11-25 05:54:03
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

MTP3N100EWC 数据手册

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与MTP3N100EWC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTP3N10L MOTOROLA

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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTP3N12 MOTOROLA

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3A, 120V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP3N120E MOTOROLA

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TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
MTP3N25E MOTOROLA

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TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.4 OHM
MTP3N35 FAIRCHILD

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N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
MTP3N40 FAIRCHILD

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N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
MTP3N40 NSC

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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,3A I(D),TO-220AB
MTP3N45 MOTOROLA

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3A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP3N50 MOTOROLA

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TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
MTP3N50E MOTOROLA

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TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS