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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.89 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 300 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM12P08 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM12P08 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12P10 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12P10 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MTM131270BBF | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM132270BBF | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| MTM13N50E | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| MTM15624 | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM15N05L | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM15N06L | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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