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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 120 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 60 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 270 ns | 最大开启时间（吨）： | 195 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM10N15L | MOTOROLA |
获取价格 |
10A, 150V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM10N25 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MTM12N05 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM12N08L | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM12N10 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12N10 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12N10E | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12N10L | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MTM12P05 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MTM12P05 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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