5秒后页面跳转
MTM10N25 PDF预览

MTM10N25

更新时间: 2024-10-15 19:24:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 64K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

MTM10N25 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.46外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A最大漏极电流 (ID):10 A
最大漏源导通电阻:0.45 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):100 pFJEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):220 ns
最大开启时间(吨):300 nsBase Number Matches:1

MTM10N25 数据手册

  

与MTM10N25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTM12N05 MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM12N08L MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
MTM12N10 MOTOROLA

获取价格

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM12N10 NJSEMI

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM12N10E MOTOROLA

获取价格

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM12N10L MOTOROLA

获取价格

暂无描述
MTM12P05 NJSEMI

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MTM12P05 MOTOROLA

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
MTM12P06 MOTOROLA

获取价格

12A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
MTM12P06 NJSEMI

获取价格

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR