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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MTM12N10 | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12N10 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12N10E | MOTOROLA |
获取价格 |
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
|
| MTM12N10L | MOTOROLA |
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暂无描述 |
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| MTM12P05 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12P05 | MOTOROLA |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM12P06 | MOTOROLA |
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12A, 60V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| MTM12P06 | NJSEMI |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| MTM12P08 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| MTM12P08 | NJSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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