Datasheet > MSC010SDA120K

MSC010SDA120K

更新时间： 2024-01-28 10:09:35

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MSC010SDA120K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.95
其他特性：	HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, PD-CASE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON CARBIDE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.8 V	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	75 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	27 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大功率耗散：	136 W
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向电流：	200 µA
反向测试电压：	1200 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

Power Matters^™

Silicon Carbide Semiconductor Products

Low Switching Losses

Low Gate Resistance

High Power Density

High Thermal Conductivity

High Avalanche (UIS) Rating

Reduced Heat Sink Requirements

High Temperature Operation

Reduced Circuit Size and System Costs

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSC010SDA170	MICROCHIP	获取价格	MSC010SDA170 is part of our newest family of SiC Schottky Barrier Diode (SBD) devices. Mic
MSC010SDA170B	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
MSC015SDA120	MICROCHIP	获取价格	SiC-SBD-1200V is part of our newest family of SiC Schottky Barrier Diode (SBD) devices. M
MSC015SDA120B	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
MSC015SMA070	MICROCHIP	获取价格	MSC015SMA070 is part of our newest family of SiC MOSFET devices. Microchip's SiC solutions
MSC0203S	MORESEMI	获取价格	N and P-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
MSC0203S-SOT23	MORESEMI	获取价格	N and P-Channel Enhancement Mode Power MOS FET
MSC020SDA120	MICROCHIP	获取价格	MSC020SDA120 is part of our newest family of SiC Schottky Barrier Diode (SBD) devices. Mic
MSC020SDA120B	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode,
MSC025SMA120	MICROCHIP	获取价格	MSC025SMA120 is part of our newest family of SiC MOSFET devices.?Microchip's SiC solutions