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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MSB709-RT1
MSB709-RT1 PDF预览

MSB709-RT1

更新时间： 2024-11-20 22:26:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

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by MSB709–RT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
3
2
1
2
1
BASE  
EMITTER  
CASE 318D–03, STYLE 1  
SC–59  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
–60  
Unit  
Vdc  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
–45  
Vdc  
V
–7.0  
–100  
–200  
Vdc  
(BR)EBO  
Collector Current — Continuous  
Collector Current — Peak  
I
C
mAdc  
mAdc  
I
C(P)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
Power Dissipation  
P
D
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
J
150  
T
stg  
–55 ~ +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
–45  
–60  
–7.0  
—
Max  
—
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = –2.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
Vdc  
µAdc  
nAdc  
—
C
B
(BR)CEO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = –10 µAdc, I = 0)  
V
—
C
E
(BR)CBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = –10 µAdc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
—
E
E
Collector–Base Cutoff Current (V  
CB  
= –45 Vdc, I = 0)  
I
I
–0.1  
–100  
340  
E
CBO  
CEO  
Collector–Emitter Cutoff Current (V  
CE  
= –10 Vdc, I = 0)  
—
B
(1)  
DC Current Gain  
h
FE1  
210  
(V = –10 Vdc, I = –2.0 mAdc)  
CE  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = –100 mAdc, I = –10 mAdc)  
C
V
—
–0.5  
Vdc  
CE(sat)  
C
B
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, D.C. ≤ 2%.  
DEVICE MARKING  
Marking Symbol  
ARX  
The “X” represents a smaller alpha digit Date Code. The Date Code indicates the actual month  
in which the part was manufactured.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 3  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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MSB709-RT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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