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MSB1218A-RT1G

更新时间： 2024-11-21 10:46:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 113K
描述
PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

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MSB1218A-RT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.78
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：210
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MSB1218A-RT1G 数据手册

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MSB1218A--RT1G  
PNP Silicon General  
Purpose Amplifier  
Transistor  
This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general  
purpose amplifier applications. This device is housed in the  
SC--70/SOT--323 package which is designed for low power surface  
mount applications.  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
Features  
High hFE, 210--460  
Low VCE(sat), < 0.5 V  
These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
MAXIMUM RATINGS (T = 25C)  
A
1
2
BASE  
EMITTER  
Rating  
Collector--Base Voltage  
Collector--Emitter Voltage  
Emitter--Base Voltage  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
Vdc  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
3
V
V
45  
Vdc  
1
7.0  
Vdc  
2
Collector Current -- Continuous  
Collector Current -- Peak  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
I
100  
200  
mAdc  
mAdc  
C
I
C(P)  
SC--70 (SOT--323)  
CASE 419  
STYLE 4  
Symbol  
Max  
150  
Unit  
mW  
C  
Power Dissipation (Note 1)  
Junction Temperature  
P
D
MARKING DIAGRAM  
T
J
150  
Storage Temperature Range  
T
stg  
--55 to +150  
C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
BR M G  
G
Symbol  
Min Max  
Unit  
1
Collector--Emitter Breakdown Voltage  
V
45  
45  
7.0  
--  
--  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 2.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector--Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
V
--  
Vdc  
Vdc  
mA  
BR = Device Code  
C
E
M
G
= Date Code*  
= Pb--Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
Emitter--Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
--  
E
E
Collector--Base Cutoff Current  
(V = 20 Vdc, I = 0)  
I
I
0.1  
100  
340  
0.5  
CBO  
CEO  
CB  
E
Collector--Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
--  
mA  
ORDERING INFORMATION  
CE  
B
†
Device  
Package  
Shipping  
DC Current Gain (Note 2)  
(V = 10 Vdc, I = 2.0 mAdc)  
h
210  
--  
--  
FE1  
MSB1218A--RT1G  
SC--70  
(Pb--Free)  
3000 /Tape & Reel  
CE  
C
Collector--Emitter Saturation Voltage  
(Note 2) (I = 100 mAdc, I = 10 mAdc)  
V
Vdc  
CE(sat)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
C
B
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Device mounted on a FR--4 glass epoxy printed circuit board using the  
minimum recommended footprint.  
2. Pulse Test: Pulse Width 300 ms, D.C. 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 -- Rev. 7  
MSB1218A--RT1/D  
1234

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MSB1218A-RT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MSB709-RT1G ONSEMI

类似代替

 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount
MSB1218A-RT1 ONSEMI

类似代替

 PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

与MSB1218A-RT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSB1218A-RT3 MOTOROLA

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 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MSB1218A-RT3 ONSEMI

获取价格

 		100mA, 45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, 3 PIN
MSB1218A-ST1 MOTOROLA

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 		PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
MSB1224MD-3W MORNSUN

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 		DUAL/SINGLE OUTPUT DIP DC-DC CONVERTER
MSB12A01 MOLEX

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 		Modular Terminal Block, 13.5A, 1 Row(s), 1 Deck(s)
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MSB12A45S2 SURGE

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 		Rectifier Diode,
MSB12A45S2L GOOD-ARK

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 3 Element, 12A, 45V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, C
MSB12A45S3 SURGE

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 		Rectifier Diode,

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