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MRFG35003M6T1

更新时间： 2024-01-23 07:38:54

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管功效放大器
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描述
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

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MRFG35003M6T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, CASE 466-02, 4 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	8 V	FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PQSO-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	85 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	22.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET RF Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

MRFG35003M6T1 数据手册

TYPICAL CHARACTERISTICS

IRL

−10

−20

−30

−20

−30

= 6 Vdc, I = 180 mA

f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W−CDMA

Γ = 0.898é−132.18_, Γ = 0.883é−134.70_

−40

−50

−60

−40

−50

−60

ACPR

0.1

P , OUTPUT POWER (WATTS)

out

Figure 3. W-CDMA ACPR and Input Return

Loss versus Output Power

11.5

10.5

9.5

PAE

= 6 Vdc, I = 180 mA

f = 3.55 GHz, 8.5 P/A 3GPP W−CDMA

8.5

Γ = 0.898é−132.18_, Γ = 0.883é−134.70_

0.1

P , OUTPUT POWER (WATTS)

out

Figure 4. Transducer Gain and Power Added

Efficiency versus Output Power

NOTE: All data is referenced to package lead interface. Γ_Sand Γ_Lare the impedances presented to the DUT.

All data is generated from load pull, not from the test circuit shown.

MRFG35003M6T1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

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