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MRFG35010R1

更新时间： 2024-02-25 02:49:45
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飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
11页 368K
描述
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

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MRFG35010R1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.05
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-PDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：28.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MRFG35010R1 数据手册

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Document Number: MRFG35010  
Rev. 9, 1/2008  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
MRFG35010R1 replaced by MRFG35010AR1.  
MRFG35010R1  
Gallium Arsenide PHEMT  
RF Power Field Effect Transistor  
Designed for WLL/MMDS or UMTS driver applications with frequencies from  
1800 to 3600 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB or  
Class A linear base station applications.  
3.5 GHz, 10 W, 12 V  
POWER FET  
GaAs PHEMT  
• Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,  
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A  
@ 0.01% Probability)  
Output Power — 1 Watt  
Power Gain — 10 dB  
Efficiency — 30%  
• 10 Watts P1dB @ 3550 MHz  
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.  
CASE 360D-02, STYLE 1  
NI-360HF  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
15  
Vdc  
DSS  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
28.3  
0.19  
W
W/°C  
C
D
Derate above 25°C  
Gate-Source Voltage  
RF Input Power  
V
-5  
33  
Vdc  
dBm  
°C  
GS  
P
in  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-65 to +175  
175  
(1)  
Channel Temperature  
T
ch  
°C  
Operating Case Temperature Range  
T
-20 to +90  
°C  
C
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Value  
Unit  
Class A  
Class AB  
R
θ
JC  
5.3  
4.8  
°C/W  
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2008. All rights reserved.  
1234567...11

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