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MRFG35030R5

更新时间： 2024-02-11 21:34:28
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 254K
描述
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

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MRFG35030R5 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.38外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：90 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：79 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET RF Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

MRFG35030R5 数据手册

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MRFG35030R5  
Rev. 2, 3/2005  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Gallium Arsenide PHEMT  
RF Power Field Effect Transistor  
Designed for WLL base station applications with frequencies from 3400 to  
3600 MHz. Suitable for TDMA and CDMA amplifier applications. To be used in  
Class AB applications.  
MRFG35030R5  
• Typical Single−Carrier W−CDMA Performance: VDD = 12 Volts, IDQ  
650 mA, Pout = 3 Watts Avg., f = 3550 MHz, Channel Bandwidth =  
3.84 MHz, Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Power Gain —12 dB  
=
Drain Efficiency — 21%  
3550 MHz, 30 W, 12 V  
SINGLE W−CDMA  
POWER FET  
ACPR @ 5 MHz Offset — −41 dBc @ 3.84 MHz Channel Bandwidth  
• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
GaAs PHEMT  
• Excellent Thermal Stability  
• In Tape and Reel. R5 Suffix = 50 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
CASE 1490−02, STYLE 1  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain−Source Voltage  
V
DSS  
15  
Vdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
D
79  
W
C
Derate above 25°C  
Gate−Source Voltage  
RF Input Power  
0.53  
W/°C  
V
− 5  
37  
Vdc  
dBm  
°C  
GS  
P
in  
Storage Temperature Range  
T
stg  
− 40 to +175  
175  
(1)  
Channel Temperature  
T
°C  
ch  
Operating Case Temperature Range  
T
C
− 20 to +90  
°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.9  
°C/W  
θ
JC  
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2005. All rights reserved.  
1234567...12

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