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MRFG35020AR1

更新时间： 2024-02-10 01:28:20

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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描述
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

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MRFG35020AR1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	90 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET RF Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

MRFG35020AR1 数据手册

Document Number: MRFG35020A

Rev. 0, 1/2008

Freescale Semiconductor

Technical Data

Gallium Arsenide PHEMT

RF Power Field Effect Transistor

Designed for WiMAX and WLL base station applications that have a 200 MHz

BW requirement in the 2300-3800 MHz frequency range. Suitable for TDMA and

CDMA amplifier applications. To be used in Class AB applications.

MRFG35020AR1

• Typical WiMAX Performance: V_DD= 12 Volts, I_DQ= 300 mA, P_out= 2 Watts

Avg., f = 3500 MHz, 802.16d, 64 QAM /₄, 4 bursts, 7 MHz Channel

Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Power Gain — 11.5 dB

3.5 GHz, 20 W, 12 V

WiMAX

Drain Efficiency — 22%

POWER FET

GaAs PHEMT

RCE — -33 dB

Meets ETSI Type G Mask

• 20 Watts P1dB @ 3500 MHz, CW

Features

• Supports up to 28 MHz Bandwidth OFDM Signals

• Internally Input Matched for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Excellent Thermal Stability

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

CASE 360E-01, STYLE 2

NI-360 SHORT LEAD

Table 1. Maximum Ratings

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

dBm

°C

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

RF Input Power

DSS

-5

Storage Temperature Range

stg

-40 to +175

175

(1)

Channel Temperature

°C

Operating Case Temperature Range

-40 to +90

°C

Table 2. Thermal Characteristics

Characteristic

(2)

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

2.7

°C/W

1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C. Exceeding 150°C channel operating temperature may

result in device performance degradation.

2. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

MRFG35020AR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MRFG35030R5	FREESCALE	Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor	获取价格
MRFG9661	MOTOROLA	UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, CASE 318A-03, 4 PIN	获取价格
MRFG9661R	MOTOROLA	UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, CASE 318C-01, 4 PIN	获取价格
MRFIC0001	MOTOROLA	QUADRATURE MODULATOR INTEGRATED CIRCUIT	获取价格
MRFIC0001R2	MOTOROLA	50 MHz - 260 MHz RF/MICROWAVE QUADRAPHASE MODULATOR	获取价格
MRFIC0903	MOTOROLA	ANTENNA SWITCH GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT	获取价格

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