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MRFG35020AR1

更新时间： 2024-02-05 20:56:08

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12页	460K
描述
Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

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MRFG35020AR1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	90 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET RF Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

MRFG35020AR1 数据手册

TYPICAL CHARACTERISTICS

= 12 Vdc, I = 300 mA, P = 33 dBm

DQ out

Single−Carrier W−CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth

−10 Input Signal PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)

−5

−20

−10

−15

−20

−25

IRL

−30

−40

ACPR

−50

3400

3450

3500

3550

3600

f, FREQUENCY (MHz)

Figure 8. Single-Channel W-CDMA Adjacent

Channel Power Ratio and IRL versus Frequency

−5

−10

−15

−20

= 12 Vdc, I = 300 mA, f = 3500 MHz

Single−Carrier OFDM 802.16d, 64 QAM ³/

7 MHz Channel Bandwidth, Input Signal

PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF

−25

−30

−35

EVM

20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42

, OUTPUT POWER (dBm)

out

Figure 9. Single-Channel OFDM Error Vector

Magnitude and Drain Efficiency versus Output Power

NOTE: Data is generated from the test circuit shown.

MRFG35020AR1

RF Device Data

Freescale Semiconductor

1...4 5 678 9 10...12

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