是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.09 | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 15 V |
FET 技术: | HIGH ELECTRON MOBILITY | 最高频带: | C BAND |
JESD-30 代码: | R-CDFM-F2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET RF Small Signal |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MRFG35010MT1 | MOTOROLA | Gallium Arsenide PHEMT |
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MRFG35010MT1 | FREESCALE | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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MRFG35010N | FREESCALE | RF Power Field Effect Transistor |
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MRFG35010NT1 | FREESCALE | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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MRFG35010R1 | FREESCALE | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
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MRFG35010R1 | NXP | S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET, ROHS COMPLIANT, NI-360HF, CASE 360D-02, 2 PIN |
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