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MRFG35010N

更新时间： 2024-02-10 07:26:17
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
12页 187K
描述
RF Power Field Effect Transistor

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MRFG35010N 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.05外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
FET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET RF Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

MRFG35010N 数据手册

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Document Number: MRFG35010N  
Rev. 6, 2/2006  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Gallium Arsenide PHEMT  
RF Power Field Effect Transistor  
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies  
from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class  
AB linear base station applications.  
MRFG35010NT1  
• Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,  
IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A  
@ 0.01% Probability)  
3.5 GHz, 9 W, 12 V  
POWER FET  
GaAs PHEMT  
Output Power — 900 mW  
Power Gain — 10 dB  
Efficiency — 28%  
• 9 Watts P1dB @ 3.55 GHz  
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
• N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.  
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.  
CASE 466-03, STYLE 1  
PLD-1.5  
PLASTIC  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
DSS  
15  
Vdc  
(2)  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
22.7  
W
W/°C  
C
D
(2)  
Derate above 25°C  
Gate-Source Voltage  
RF Input Power  
0.15  
V
GS  
-5  
33  
Vdc  
dBm  
°C  
P
in  
Storage Temperature Range  
T
stg  
-65 to +150  
175  
(1)  
Channel Temperature  
T
ch  
°C  
Operating Case Temperature Range  
T
C
-20 to +85  
°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
(2)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
6.6  
°C/W  
θ
JC  
Table 3. Moisture Sensitivity Level  
Test Methodology  
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020  
Rating  
Package Peak Temperature  
Unit  
1
260  
°C  
1. For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150°C.  
2. Simulated.  
Freescale Semiconductor, Inc., 2006. All rights reserved.  
1234567...12

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