5秒后页面跳转
MRF904 PDF预览

MRF904

更新时间: 2024-10-02 20:01:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 138K
描述
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AF

MRF904 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:8.16
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.03 A
基于收集器的最大容量:1 pF集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-206AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):4000 MHzBase Number Matches:1

MRF904 数据手册

 浏览型号MRF904的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRF904的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRF904的Datasheet PDF文件第4页 

与MRF904相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF9045 MOTOROLA

获取价格

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9045LR1 FREESCALE

获取价格

RF Power Field Effect Transistors
MRF9045LR1_08 FREESCALE

获取价格

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9045LSR1 FREESCALE

获取价格

RF Power Field Effect Transistors
MRF9045M MOTOROLA

获取价格

The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode
MRF9045MBR1 MOTOROLA

获取价格

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9045MR1 MOTOROLA

获取价格

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9045NBR1 ROCHESTER

获取价格

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1337-03,
MRF9045NR1 FREESCALE

获取价格

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9045R1 MOTOROLA

获取价格

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel