MRF9030S

更新时间： 2024-10-02 13:11:47

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数	文件大小	规格书
12页	403K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 360C-05, 3 PIN

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MRF9030S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	68 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	117 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF9030S 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF9030/D

The RF Sub–Micron MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequen-

cies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices

make them ideal for large–signal, common–source amplifier applications in

26 volt base station equipment.

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• Typical Two–Tone Performance at 945 MHz, 26 Volts

Output Power — 30 Watts PEP

Power Gain — 19 dB

945 MHz, 30 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

BROADBAND

Efficiency — 41.5%

IMD — –32.5 dBc

RF POWER MOSFETs

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 30 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

CASE 360B–05, STYLE 1

NI–360

MRF9030R1

CASE 360C–05, STYLE 1

NI–360S

MRF9030SR1

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

–0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

MRF9030R1

0.53

Watts

W/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

MRF9030SR1

117

0.67

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +200

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

1 (Minimum)

M1 (Minimum)

Machine Model

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

MRF9030R1

MRF9030SR1

1.9

1.5

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 2

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF9030R1 MRF9030SR1

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF9030SR1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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MRF9045LR1_08	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF9045M	MOTOROLA	获取价格	The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode

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