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MRF904

更新时间： 2024-10-02 10:47:23

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ASI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	34K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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MRF904 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.39
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-72
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4000 MHz	Base Number Matches：	1

MRF904 数据手册

MRF904

NPN SILICON RF TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE TO-72

The ASI MRF904 is Designed for

General Purpose Amplifier

Applications.

FEATURES:

• NF = 1.5 dB (Typ) 450 MHz

• G_max= 16 dB (Typ) 450 MHz

• f_T= 4.0 GHz (Typ) @ I_C= 15 mA

MAXIMUM RATINGS

30 mA

25 V

I_C

V_CBO

V_CEO

P_DISS

T_J

15 V

1 = EMITTER 2 = BASE 3 = COLLECTOR 4 = CASE

0.2 W @ T_A= 25 °C

-65 °C to +200 °C

T_STG

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_C= 100 µA

I_E= 100 µA

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

3.0

_CB= 15 V

_CE= 5.0 V

---

I_C= 5.0 mA

200

h_FE

_CB= 10 V

_CE= 10 V

f = 1.0 MHz

f = 1.0 GHz

1.0

C_OB

I_C= 15 mA

I_C= 5.0 mA

4.0

1.5

f_T

GHz

V_CE= 6.0 V

f = 450 MHz

f = 1.0 GHz

G_max

2.5

I_C= 5.0 mA

G_max

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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MRF904 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC5088	TOSHIBA	功能相似	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOESE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SC5086	TOSHIBA	功能相似	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
MRF904	MICROSEMI	功能相似	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

与MRF904相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF9045	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9045LR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF9045LR1_08	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9045LSR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF9045M	MOTOROLA	获取价格	The RF Sub-Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode
MRF9045MBR1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9045MR1	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF9045NBR1	ROCHESTER	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1337-03,
MRF9045NR1	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9045R1	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel

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