5秒后页面跳转
MRA1300-10L PDF预览

MRA1300-10L

更新时间: 2024-09-14 20:04:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 235K
描述
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, CASE 360A-01, 3 PIN

MRA1300-10L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84其他特性:DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接:BASE基于收集器的最大容量:40 pF
集电极-发射极最大电压:28 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:83 W最小功率增益 (Gp):7 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRA1300-10L 数据手册

 浏览型号MRA1300-10L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MRA1300-10L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MRA1300-10L的Datasheet PDF文件第4页 

与MRA1300-10L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRA1417-11 ASI

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRA1417-11H MOTOROLA

获取价格

L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
MRA1417-2 ASI

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRA1417-2H MOTOROLA

获取价格

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
MRA1417-6H ASI

获取价格

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
MRA1417-6H MOTOROLA

获取价格

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN
MRA14P WINCHESTER

获取价格

COMPSITE OUTLINE ASSY MRA xx P
MRA14PJTHV WINCHESTER

获取价格

Rack and Panel Connector, 14 Contact(s), Male, Solder Terminal, Plug
MRA14PJTHVL WINCHESTER

获取价格

Rack and Panel Connector, 14 Contact(s), Male, Solder Terminal, Plug
MRA14PKHV WINCHESTER

获取价格

Rack and Panel Connector, 14 Contact(s), Male, Solder Terminal, Plug