MRA1417-2

更新时间： 2024-11-11 03:48:27

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRA1417-2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	BASE	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
基于收集器的最大容量：	4.5 pF	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRA1417-2 数据手册

MRA1417-2

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRA1417-2 is a Common

Base Device Designed for Class C

Power Amplifier Applications up to 1.7

GHz.

FEATURES INCLUDE:

PACKAGE STYLE 250 2L FLG (C)

• Gold Metallization

• Emitter Ballasting

• Input Matching

MAXIMUM RATINGS

0.5 A

50 V

I_C

V_CBO

P_DISS

T_J

12 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

15 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = COLLECTOR 2 = BASE

3 = EMITTER

CHARACTERISTICS ^T_C^{= 25 °C}

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 20 mA

I_E= 0.25 mA

V_CB= 28 V

3.5

BV_EBO

I_CBO

0.5

---

_CE= 5.0 V I_C= 100 mA

100

h_FE

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

4.5

C_ob

8.0

P_G

V_CE= 28 V P_OUT= 2.0 W

f = 1700 MHz

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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