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MRA1417-6H

更新时间： 2024-09-13 22:15:11

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ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	30K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRA1417-6H 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	S-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRA1417-6H 数据手册

MRA1417-6H

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The MRA1417-6H is a Common

Base Device Designed for Class C

Amplifier Applications in L-Band FM

Microwave Links.

PACKAGE STYLE .250 2L FLG (B)

FEATURES INCLUDE:

• Gold Metallization

• Emitter Ballasting

• Input Matching

MAXIMUM RATINGS

1.0 A

I_C

50 V

V_CBO

P_DISS

T_J

19 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

9.0 ^OC/W

1 = COLLECTOR

2 = BASE

T_STG

θ_JC

3 = EMITTER

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_E= 3.0 mA

BV_CES

BV_EBO

3.5

V_CE= 5.0 V I_C= 100 mA

V_CB= 28 V

100

h_FE

C_ob

---

f = 1.0 MHz

6.5

7.2

7.5

P_G

V_CE= 28 V P_OUT= 6.0 W f = 1400 - 1700 MHz

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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