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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | DIFFUSED BALLAST RESISTORS |
| 外壳连接： | BASE | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 基于收集器的最大容量： | 12 pF | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最小功率增益 (Gp)： | 7.6 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRA1600-30 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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| MRA1600-6 | MOTOROLA |
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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| MRA1720-2 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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| MRA1720-20 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
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| MRA1720-5 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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| MRA1720-9 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
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| MRA1CHP | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| MRA1CHP-1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| MRA1CHP-2 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| MRA206 | NKK |
获取价格 |
Half-Inch Diameter Process Sealed Rotaries |
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