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MRA1417-11H

更新时间: 2024-09-14 14:53:55
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR

MRA1417-11H 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
其他特性:DIFFUSED BALLAST RESISTORS外壳连接:BASE
最大集电极电流 (IC):2 A基于收集器的最大容量:12 pF
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):7.4 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

MRA1417-11H 数据手册

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