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MRA1417-11

更新时间： 2024-09-14 10:47:51

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRA1417-11 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	4 A	基于收集器的最大容量：	12 pF
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRA1417-11 数据手册

MRA1417-11

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRA1417-11 is a Common

Base Device Designed for Class C

Power Amplifier Applications up to 1.7

GHz.

FEATURES INCLUDE:

PACKAGE STYLE 250 2L FLG (C)

• Gold Metallization

• Emitter Ballasting

• Input Matching

MAXIMUM RATINGS

4.0 A

50 V

I_C

V_CBO

P_DISS

T_J

12 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

4.5 °C/W

T_STG

θ_JC

1 = COLLECTOR 2 = BASE

3 = EMITTER

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 80 mA

I_E= 1.0 mA

V_CB= 28 V

3.5

BV_EBO

I_CBO

2.0

---

_CE= 5.0 V I_C= 4.0 A

100

h_FE

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

C_ob

7.4

P_G

V_CE= 28 V P_OUT= 11 W

f = 1700 MHz

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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