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MPSW55

更新时间： 2024-09-17 22:21:07
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摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
One Watt Amplifier Transistors

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MPSW55 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.21最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：15 pF集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-226AEJESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：2.5 W最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

MPSW55 数据手册

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by MPSW55/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
*Motorola Preferred Device  
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol MPSW55 MPSW56  
Unit  
Vdc  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–60  
–60  
–80  
–80  
Vdc  
–4.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CEO  
MPSW55  
MPSW56  
–60  
–80  
—
—
C
B
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
–4.0  
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –40 Vdc, I = 0)  
MPSW55  
MPSW56  
—
—
–0.5  
–0.5  
B
= –60 Vdc, I = 0)  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
µAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –40 Vdc, I = 0)  
MPSW55  
MPSW56  
—
—
–0.1  
–0.1  
E
= –60 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
–0.1  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW55_10 ONSEMI

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 		One Watt Amplifier Transistors
MPSW55G ONSEMI

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MPSW55RL MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPSW55RL ONSEMI

获取价格

 		500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
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 		500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW55RL1 ONSEMI

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 		TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3
MPSW55RLRA MOTOROLA

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 		500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
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