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MPSW55RL

更新时间： 2024-09-18 20:59:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 96K
描述
500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN

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MPSW55RL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.33其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MPSW55RL 数据手册

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MPSW55, MPSW56  
One Watt Amplifier  
Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
COLLECTOR  
3
2
MAXIMUM RATINGS  
BASE  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
EMITTER  
Collector−Emitter Voltage  
MPSW55  
MPSW56  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−60  
−80  
Vdc  
Collector−Base Voltage  
MPSW55  
MPSW56  
−60  
−80  
Vdc  
Emitter−Base Voltage  
−4.0  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
I
−500  
mAdc  
TO−92 1 WATT  
(TO−226)  
CASE 29−10  
STYLE 1  
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
1.0  
8.0  
W
mW/°C  
A
D
1
2
3
BENT LEAD  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
Derate above 25°C  
1
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
P
2.5  
20  
W
mW/°C  
C
D
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
MARKING DIAGRAM  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
MPS  
W5x  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
AYWWG  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
q
JA  
G
R
q
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
x
A
Y
= 5 or 6  
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MPSW55G  
TO−92  
(Pb−Free)  
5000 Units/Bulk  
MPSW55RLRAG  
TO−92  
(Pb−Free)  
2000/Tape & Reel  
MPSW56RLRP  
TO−92  
2000/Ammo Pack  
2000/Ammo Pack  
MPSW56RLRPG  
TO−92  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
August, 2010 − Rev. 4  
MPSW55/D  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW55RL1 MOTOROLA

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 		500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		TRANSISTOR 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3
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