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MPS3904ZL1 PDF预览

MPS3904ZL1

更新时间： 2024-11-26 07:31:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 224K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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MPS3904ZL1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.51其他特性：EUROPEAN PART NUMBER
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：990 ns最大开启时间（吨）：85 ns
Base Number Matches：1

MPS3904ZL1 数据手册

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ON Semiconductort  
General Purpose Transistor  
NPN Silicon  
MPS3904  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
60  
Vdc  
1
Emitter–Base Voltage  
V
6.0  
Vdc  
EBO  
2
3
Collector Current — Continuous  
I
C
100  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Total Power Dissipation @ T = 60°C  
P
P
450  
mW  
A
D
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
D
Derate above 25°C  
COLLECTOR  
3
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
BASE  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
JC  
1
EMITTER  
R
q
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
40  
60  
6.0  
—
—
—
—
50  
50  
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
V
V
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 µAdc, I = 0)  
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, V  
I
nAdc  
nAdc  
CEX  
= 3.0 Vdc)  
= 3.0 Vdc)  
EB(off)  
CE  
EB(off)  
Base Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, V  
I
BL  
—
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
805  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 2  
MPS3904/D  
123456

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