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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPS4123
MPS4123 PDF预览

MPS4123

更新时间： 2024-09-16 22:46:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 75K
描述
Amplifier Transistors

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MPS4123 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.55
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1.5 W最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

MPS4123 数据手册

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by MPS4123/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
1
EMITTER  
2
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol MPS4123 MPS4124  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CE  
V
CB  
V
EB  
30  
40  
25  
30  
Vdc  
5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
200  
mAdc  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
W
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 1.0 mA, I = 0)  
MPS4123  
MPS4124  
V
V
30  
25  
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 A, I = 0)  
MPS4123  
MPS4124  
40  
30  
—
—
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 0, I = 10 A)  
V
5.0  
—
50  
50  
Vdc  
(BR)EBO  
C
E
Collector Cutoff Current  
(V = 20 V, I = 0)  
I
—
nAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
I
—
EBO  
(V  
EB  
= 3.0 V, I = 0)  
C
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS4123-18 MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MPS4123-5 MOTOROLA

获取价格

 		200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPS4123RL MOTOROLA

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 		暂无描述
MPS4123RL1 MOTOROLA

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 		200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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