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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> MMQA6V2T3
MMQA6V2T3 PDF预览

MMQA6V2T3

更新时间： 2024-11-30 22:46:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
SC-74 Quad Monolithic Common Anode

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MMQA6V2T3 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-74包装说明：PLASTIC, CASE 318F-05, SC-74, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.5Is Samacsys：N
最大击穿电压：6.51 V最小击穿电压：5.89 V
击穿电压标称值：6.2 V最大钳位电压：9 V
配置：COMMON ANODE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：150 W元件数量：4
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：4 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

MMQA6V2T3 数据手册

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MMQA Quad Common  
Anode Series  
Preferred Devices  
SC−74 Quad Monolithic  
Common Anode  
Transient Voltage Suppressors  
for ESD Protection  
http://onsemi.com  
This quad monolithic silicon voltage suppressor is designed for  
applications requiring transient overvoltage protection capability. It is  
intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as  
computers, printers, business machines, communication systems,  
medical equipment, and other applications. Its quad junction common  
anode design protects four separate lines using only one package.  
These devices are ideal for situations where board space is at a  
premium.  
SC−74 QUAD TRANSIENT  
VOLTAGE SUPPRESSOR  
24 WATTS PEAK POWER  
5.6 − 33 VOLTS  
Specification Features:  
PIN ASSIGNMENT  
• SC−74 Package Allows Four Separate Unidirectional Configurations  
• Peak Power − Min. 24 W @ 1.0 ms (Unidirectional),  
1
2
3
6
5
4
per Figure 5 Waveform  
• Peak Power − Min. 150 W @ 20 ms (Unidirectional),  
per Figure 6 Waveform  
• Maximum Clamping Voltage @ Peak Pulse Current  
6
1
• Low Leakage < 2.0 mA  
SC−74  
PLASTIC  
CASE 318F  
PIN 1. CATHODE  
2. ANODE  
• ESD Rating of Class N (exceeding 16 kV) per the  
3. CATHODE  
4. CATHODE  
5. ANODE  
Human Body Model  
• Pb−Free Packages are Available  
6. CATHODE  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol Value  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
Peak Power Dissipation @ 1.0 ms (Note 1)  
P
pk  
24  
W
@ T ≤ 25°C  
A
Peak Power Dissipation @ 20 ms (Note 2) @  
P
pk  
150  
W
xxx  
T
≤ 25°C  
A
Total Power Dissipation on FR-5 Board  
°P °  
D
°225  
1.8  
°mW°  
mW/°C  
(Note 3) @ T = 25°C  
A
xxx = Device Code  
Thermal Resistance from Junction−to−Ambi-  
ent  
R
556  
°C/W  
q
JA  
M
= Date Code  
Total Power Dissipation on Alumina Sub-  
°P °  
D
°300  
2.4  
°mW  
mW/°C  
strate (Note 4) @ T = 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
Derate above 25°C  
See detailed ordering and shipping information in the table on  
page 5 of this data sheet.  
Thermal Resistance from Junction−to−Ambi-  
ent  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
°− 55 to  
+150°  
stg  
DEVICE MARKING INFORMATION  
See specific marking information in the device marking table  
on page 5 of this data sheet.  
Lead Solder Temperature − Maximum (10  
Second Duration)  
T
L
260  
°C  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
April, 2004 − Rev. 4  
MMQA/D  
123456

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MMQA6V2T3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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MMQA6V8T1G ROCHESTER

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 		150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318F-05, SC
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MMQA6V8T3 ONSEMI

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 		SC-74 Quad Monolithic Common Anode
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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, Unidirectional, 4 Element, Silicon, PLASTIC, SC-59,

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