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MMDT5401

更新时间: 2024-05-23 22:23:38
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蓝箭 - FOSHAN /
页数 文件大小 规格书
6页 716K
描述
SOT-363

MMDT5401 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):0.2 A集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
最大关闭时间(toff):300 ns最大开启时间(吨):70 ns

MMDT5401 数据手册

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MMDT5401  
Rev.C Oct.-2021  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
SOT-363 塑封封装双 PNP 半导体三极管。Double silicon PNP transistor in a SOT-363 Plastic  
Package.  
特征 / Features  
击穿电压高,可与 MMDT5551 互补。无卤产品。  
High voltage, complementary Pair with MMDT5551. HF Product.  
用途 / Applications  
用于普通高压放大。  
General purpose high voltage amplifier.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
PIN 14Emitter  
PIN 25Base  
PIN 36Collector  
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking  
See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
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