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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMDT3906
MMDT3906 PDF预览

MMDT3906

更新时间： 2024-11-02 10:51:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 245K
描述
PNP Small Signal Surface Mount Transistors

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MMDT3906 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

MMDT3906 数据手册

 浏览型号MMDT3906的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT3906  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Ultra-small Surface Mount Package  
•
•
•
·
Small Signal Surface  
Mount Transistors  
Epitaxial Planar Die Construction  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
x
Marking:K3N  
O
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
SOT-363  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating(PNP)  
Unit  
V
V
V
A
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
-40  
-40  
-5  
-0.2  
0.2  
G
PC  
TJ  
W
R
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
C
B
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
A
H
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Min  
Max  
Units  
V(BR)CEO  
-40  
---  
Vdc  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-30Vdc,IE=0)  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-40  
-5  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
M
K
J
D
L
---  
---  
-50  
-50  
nAdc  
nAdc  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5Vdc,IC=0)  
IEBO  
DC Current Gain  
DIMENSIONS  
(IC=-0.1mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-1mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-50mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-100mAdc, VCE=-1Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCE=-20Vdc, IC=-10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
40  
70  
100  
60  
---  
---  
300  
---  
INCHES  
MIN  
MM  
hFE  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
---  
.006  
.045  
.085  
B
30  
---  
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
VCE(sat)  
---  
---  
-0.25  
-0.4  
Vdc  
Vdc  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
VBE(sat)  
-0.65  
---  
-0.85  
-0.95  
M
fT  
250  
---  
---  
4.5  
4
MHz  
pF  
Cob  
NF  
(VCB=-5Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
---  
dB  
(VCE=-5V,IC=-0.1mA, f=1KHz, RS=1k=)  
td  
tr  
tS  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
V
CC=-3V,IC=-10mA,  
---  
---  
---  
---  
35  
35  
225  
75  
ns  
ns  
ns  
ns  
VBE=-0.5V, IB1=-IB2=-1mA  
VCC=-3V, IC=-10mA,  
IB1=-IB2=-1mA  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT3906_06 PANJIT

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MMDT3906_1 DIODES

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MMDT3906_11 MCC

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MMDT3906G-AL6-R UTC

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MMDT3906HE3 MCC

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 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
MMDT3906L-AL6-R UTC

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