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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMDT3906-TP
MMDT3906-TP PDF预览

MMDT3906-TP

更新时间： 2024-11-02 10:51:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
PNP Small Signal Surface Mount Transistors

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MMDT3906-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.73
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MMDT3906-TP 数据手册

 浏览型号MMDT3906-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT3906  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Ultra-small Surface Mount Package  
Epitaxial Planar Die Construction  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
PNP  
•
Small Signal Surface  
Mount Transistors  
x
x Marking:K3N  
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified  
O
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating(PNP)  
Unit  
V
V
V
A
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
-40  
-40  
-5  
-0.2  
0.2  
SOT-363  
PC  
TJ  
W
R
G
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
4
1
5
2
6
TSTG  
Storage Temperature  
-55 to +150  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
C
B
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
Min  
Max  
Units  
3
V(BR)CEO  
-40  
---  
Vdc  
A
H
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-40  
-5  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
M
K
---  
---  
-50  
-50  
nAdc  
nAdc  
J
(VCB=-30Vdc,IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=-5Vdc,IC=0)  
D
L
IEBO  
DC Current Gain  
(IC=-0.1mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-1mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-50mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-100mAdc, VCE=-1Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Current Gain-Bandwidth Product  
(VCE=-20Vdc, IC=-10mAdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
40  
70  
100  
60  
---  
---  
300  
---  
hFE  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
MM  
30  
---  
DIM  
A
MAX  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
.006  
.045  
.085  
.014  
.053  
.096  
VCE(sat)  
---  
---  
-0.25  
-0.4  
Vdc  
Vdc  
B
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
VBE(sat)  
-0.65  
---  
-0.85  
-0.95  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
fT  
250  
---  
---  
4.5  
4
MHz  
pF  
L
M
Cob  
NF  
(VCB=-5Vdc, f=1.0MHz, IE=0)  
Noise Figure  
---  
dB  
(VCE=-5V,IC=-0.1mA, f=1KHz, RS=1k=)  
td  
tr  
tS  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
V
CC=-3V,IC=-10mA,  
---  
---  
---  
---  
35  
35  
225  
75  
ns  
ns  
ns  
ns  
VBE=-0.5V, IB1=-IB2=-1mA  
VCC=-3V, IC=-10mA,  
IB1=-IB2=-1mA  
www.mccsemi.com  
Revision: 4  
2008/12/31  
1 of 2  
12

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