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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMDT3906V
MMDT3906V PDF预览

MMDT3906V

更新时间： 2024-09-28 10:51:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 226K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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MMDT3906V 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MMDT3906V 数据手册

 浏览型号MMDT3906V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT3906V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMDT3906V的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT3906V  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epitaxial Die Construction  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Ultra-small Surface Mount Package  
•
•
•
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
x
Marking:KAR  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings @ 25OC Unless Otherwise Specified  
SOT-563  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
-40  
-40  
Unit  
V
V
V
A
W
R/W  
R
-5  
-0.2  
0.15  
833  
PC  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R
E
JA  
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
-40  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=-10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=-30Vdc,VEB(OFF)=-3Vdc)  
Base Cutoff Current  
(VCE=-30Vdc,VEB(OFF)=-3Vdc)  
DC Current Gain  
(IC=-0.1mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-1mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-50mAdc, VCE=-1Vdc)  
(IC=-100mAdc, VCE=-1Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mAdc, IB=-1mAdc)  
(IC=-50mAdc, IB=-5mAdc)  
-40  
-5  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
50  
50  
Vdc  
Vdc  
DIMENSIONS  
---  
---  
nAdc  
nAdc  
INCHES  
MIN  
.006  
.043  
.061  
MM  
IBL  
DIM  
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MAX  
.011  
.049  
.067  
MIN  
0.15  
1.10  
1.55  
MAX  
0.30  
1.25  
1.70  
NOTE  
hFE  
60  
80  
100  
60  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
300  
---  
.020  
0.50  
.035  
.059  
.022  
.004  
.004  
.043  
.067  
.023  
.011  
.007  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
---  
30  
---  
VCE(sat)  
---  
---  
---  
---  
-0.25  
-0.4  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
-0.65  
---  
---  
---  
-0.85  
-0.95  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT3906V_11 MCC

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