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MMDT3946 PDF预览

MMDT3946

更新时间： 2024-11-30 14:51:15
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鲁光 - LGE 双极型晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 838K
描述
双极型晶体管

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MMDT3946 技术参数

极性：NPN PNPCollector-emitter breakdown voltage：40
Collector Current - Continuous：0.2DC current gain - Min：100
DC current gain - Max：300Transition frequency：300
Package：SOT-363Storage Temperature Range：-55-150
class：Transistors

MMDT3946 数据手册

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MMDT3946  
Complementary NPN/PNP Transistor  
SOT-363  
Features  
—
—
Complementary Pair  
One 3904-Type NPN,  
One 3906-Type PNP  
—
—
Epitaxial Planar Die Construction  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
MAKING: K46·  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Symbol  
VCBO  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
40  
V
5
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
0.2  
A
PC  
0.2  
W
℃
℃
TJ  
150  
-55-150  
Tstg  
Storage Temperature  
NPN 3904 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Test  
conditions  
MIN  
60  
40  
5
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC = 10μA, IE=0  
IC= 1mA, IB=0  
V
IE= 10μA, IC=0  
V
VCB= 30 V , IE=0  
0.05  
0.5  
μA  
μA  
μA  
Collector cut-off current  
ICEO  
VCE= 30 V , IB=0  
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB= 5V , IC=0  
0.05  
hFE(1)  
VCE= 1V, IC= 0.1mA  
VCE= 1V, IC= 1mA  
VCE= 1V, IC= 10mA  
VCE= 1V, IC= 50mA  
VCE= 1V, IC= 100mA  
IC=10 mA, IB= 1mA  
IC=50 mA, IB= 5mA  
IC= 10 mA, IB= 1mA  
IC= 50 mA, IB= 5mA  
VCE=20V,IC=20mA, f=100MHz  
40  
70  
hFE(2)  
DC current gain  
hFE(3)  
100  
60  
300  
hFE(4)  
hFE(5)  
30  
VCE(sat)1  
VCE(sat)2  
VBE(sat)1  
VBE(sat)2  
0.2  
0.3  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
0.65  
300  
0.85  
0.95  
V
V
Transition frequency  
Noise figure  
fT  
MHz  
V
CE=5V,Ic=0.1mA,  
NF  
5
dB  
f=1KHz,Rg=1KΩ  
Output Capacitance  
Delay time  
Cob  
td  
VCB=5V,IE=0,f=1MHz  
4
pF  
nS  
nS  
nS  
nS  
35  
35  
200  
50  
V
CC=3V, VBE=0.5V  
IC=10mA , IB1=- IB2=1mA  
Rise time  
tr  
Storage time  
Fall time  
tS  
tf  
VCC=3V, IC=10mA  
IB1=-IB2= 1mA  
http://www.lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
mail:lge@lgesemi.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT3946_1 DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3946_15 UTC

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 		COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE
MMDT3946_2 DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3946-7 DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3946-7-F DIODES

获取价格

 		COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3946-7R-F DIODES

获取价格

 		暂无描述
MMDT3946FL3 DIODES

获取价格

 		Complementary, 40V, 0.2A, DFN1310-6
MMDT3946G-AL6-R UTC

获取价格

 		COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3946HE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
MMDT3946L-AL6-R UTC

获取价格

 		COMPLEMENTARY NPN/PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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