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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMDT2227-7-F
MMDT2227-7-F PDF预览

MMDT2227-7-F

更新时间： 2024-11-02 03:07:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 79K
描述
COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMDT2227-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.08Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signals
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

MMDT2227-7-F 数据手册

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SPICE MODELS: MMDT2227  
MMDT2227  
Lead-free  
COMPLEMENTARY NPN / PNP SMALL  
SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
A
·
·
·
·
Complementary Pair  
C2  
B1  
E1  
Epitaxial Planar Die Construction  
Ultra-Small Surface Mount Package  
SOT-363  
Min  
C
B
Dim  
A
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
One 2222A Type (NPN),  
One 2907A Type (PNP)  
0.10  
E2  
B2  
C1  
B
·
·
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
1.15  
G
H
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
C
2.00  
D
0.65 Nominal  
K
J
M
F
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
Mechanical Data  
H
L
D
F
J
·
·
Case: SOT-363  
K
0.90  
0.25  
0.10  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
L
Note: E1, B1, and C1 = 2907A Type (PNP)  
E2, B2, and C2 = 2222A Type (NPN)  
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
M
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Type marking indicates orientation.  
a
8°  
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
All Dimensions in mm  
C2  
B1  
E1  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Ordering & Date Code Information: See Page 4  
Marking (See Page 3): K27  
E2  
B2  
C1  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, Total Device  
Characteristic  
Symbol  
Pd  
Value  
200  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Total Power Dissipation (Note 1)  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
625  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, 2222A Type (NPN)  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
NPN2222A  
Unit  
V
75  
40  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
600  
V
Collector Current - Continuous  
mA  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, 2907A Type (PNP)  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PNP2907A  
Unit  
V
-60  
-60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-5.0  
-600  
V
Collector Current - Continuous  
mA  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30122 Rev. 8 - 2  
1 of 4  
MMDT2227  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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MMDT2227-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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