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MMDT2907A

更新时间: 2024-11-23 10:51:59
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强茂 - PANJIT 晶体开关晶体管光电二极管通用开关
页数 文件大小 规格书
5页 100K
描述
DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

MMDT2907A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.16
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PDSO-G6元件数量:2
端子数量:6封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
最大关闭时间(toff):100 ns最大开启时间(吨):45 ns
Base Number Matches:1

MMDT2907A 数据手册

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MMDT2907A  
DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR  
150 mW  
60 Volts  
POWER  
VOLTAGE  
FEATURES  
0.054(1.35)  
0.045(1.15)  
• PNP epitaxial silicon, planar design  
• Collector-emitter voltage VCE = -60V  
• Collector current IC = -600mA  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICAL DATA  
• Case: SOT-363  
0.040(1.00)  
0.031(0.80)  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
• Apporx. Weight: 0.0002 ounce, 0.006 gram  
• Device Marking : M7A  
6
5
4
0.10 MAX.  
0.018(0.45)  
0.006(0.15)  
0.087(2.20)  
0.078(2.00)  
1
2
3
Fig.53  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Value  
Units  
V
-60  
-60  
Collector-Base Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
-5.0  
-600  
V
Collector Current-Continuous  
mA  
THERMALCHATACTERISTICS  
Parameter  
Max Power Dissipation (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Storage Temperature  
Symbol  
PTOT  
RθJA  
Value  
150  
Units  
mW  
OC / W  
OC  
830  
TSTG  
-55 to +150  
-55 to +150  
Junction Temperaure  
TJ  
OC  
Note 1 : Transistor mouted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
PAGE . 1  
May 12.2010-REV.00  

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