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MMBZ5V6ALT116

更新时间: 2024-09-20 21:20:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 1304K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 24W, 3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon,

MMBZ5V6ALT116 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:7.9
其他特性:HIGH RELIABILITY最大击穿电压:5.88 V
最小击穿电压:5.32 V配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:24 W元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.225 W
参考标准:IEC-61000-4-2最大重复峰值反向电压:3 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MMBZ5V6ALT116 数据手册

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MMBZ5V6AL  
Transient Voltage suppressor  
Data sheet  
Outline  
24  
40  
W
Ppp  
W
Feature  
Inner Circuit  
High reliability  
Small mold type  
ESD protection level ±30kV (IEC61000-4-2 Contact)  
Application  
Packaging Specification  
Packing  
Embossed Tape  
ESD Protection  
Reel Size(mm)  
180  
8
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
3000  
T116  
D0M  
Structure  
Silicon Epitaxial Planar  
Marking  
Absolute Maximum Rating (Ta=25ºC)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min. Max. Unit  
tp=10/1000μs  
PPP  
Peak pulse power  
MMBZ5V6AL thru MMBZ10VAL  
MMBZ12VAL thru MMBZ33VAL  
-
-
24  
40  
W
W
Air discharge  
Contact  
Machine model  
-
-
-
±30  
±30  
±2  
kV  
kV  
V
IEC61000-4-2  
VESD  
Electrostatic discharge voltage*  
Human body model  
-
±8  
kV  
ºC  
ºC  
mW  
mW  
Tj  
Tstg  
Junction temperature  
Storage temperature  
-
-
-
-65  
-
150  
150  
225  
300  
on Glass-epoxy substrate  
on Alumina substrate  
Pd  
Power dissipation  
-
IEC61000-4-2  
Machine model  
C=150pF R=330Ω  
C=200pF R=0Ω  
*
Human body model C=100pF R=1.5kΩ  
www.rohm.com  
1/6  
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016/5/31_Rev.001  

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