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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | IEC-61643-321 |
| 最大击穿电压： | 6.51 V | 最小击穿电压： | 5.89 V |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 24 W |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.29 W | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2 |
| 最大重复峰值反向电压： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBZ6V2AL,215 | NXP |
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MMBZxAL series - Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes TO-236 3-Pin |
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| MMBZ6V2AL-7-F | DIODES |
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24W AND 40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS |
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| MMBZ6V2ALFH | ROHM |
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Transient Voltage suppressor |
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| MMBZ6V2ALFHT116 | ROHM |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 24W, 3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, |
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| MMBZ6V2AL-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction |
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| MMBZ6V2ALT1 | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
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| MMBZ6V2ALT1 | MOTOROLA |
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SOT-23 COMMON ANODE DUAL ZENER OVERVOLTAGE TRANSIENT SUPPRESSORS 24 & 40 WATTS PEAK POWER |
|
| MMBZ6V2ALT1G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
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| MMBZ6V2ALT1G | UMW |
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ESD/TVS 管 |
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| MMBZ6V2ALT3 | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
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