Datasheet > MMBZ6V8ALT116

MMBZ6V8ALT116

更新时间： 2024-01-27 01:03:04

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	1398K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 40W, 4.5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon,

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBZ6V8ALT116 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	7.89	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	7.14 V	最小击穿电压：	6.46 V
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	40 W
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.225 W	参考标准：	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压：	4.5 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MMBZ6V8ALT116 数据手册

MMBZ6V8AL

ꢀ Transient Voltage suppressor

Data sheet

●Outline

P_pp

●Feature

●Inner Circuit

High reliability

Small mold type

ESD protection level ±30kV (IEC61000-4-2 Contact)

●Application

●Packaging Specification

Packing

Embossed Tape

ESD Protection

Reel Size(mm)

180

Taping Width(mm)

Basic Ordering Unit(pcs)

Taping Code

3000

T116

D0P

●Structure

Silicon Epitaxial Planar

Marking

●Absolute Maximum Rating (T_a=25ºC)

Parameter

Symbol

Conditions

Min. Max. Unit

tp=10/1000μs

P_PP

Peak pulse power

MMBZ5V6AL thru MMBZ10VAL

MMBZ12VAL thru MMBZ33VAL

Air discharge

Contact

Machine model

±30

±2

IEC61000-4-2

V_ESD

Electrostatic discharge voltage*

Human body model

±8

ºC

T_j

T_stg

Junction temperature

Storage temperature

-65

150

225

300

on Glass-epoxy substrate

on Alumina substrate

P_d

Power dissipation

IEC61000-4-2

Machine model

C=150pF R=330Ω

C=200pF R=0Ω

Human body model C=100pF R=1.5kΩ

www.rohm.com

1/6

2016/5/31_Rev.001

12 3 4 5 6 7...9

下载PDF

与MMBZ6V8ALT116相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBZ6V8ALT1G	ONSEMI	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors	获取价格
MMBZ6V8ALT3	ONSEMI	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors	获取价格
MMBZ6V8ALT3G	ONSEMI	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors	获取价格
MMBZ6V8ALY	ROHM	MMBZ6V8ALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。	获取价格
MMBZ6V8ALYFH	ROHM	MMBZ6V8ALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。	获取价格
MMBZ6V8A-T	NEXPERIA	Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction	获取价格