是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 7.91 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
最大击穿电压: | 9.56 V | 最小击穿电压: | 8.65 V |
配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 24 W |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.225 W | 参考标准: | IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压: | 6 V | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ9V1ALT13G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ9V1ALT1G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ9V1ALT3 | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ9V1ALT3G | ONSEMI |
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DIODE 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236, LEAD FREE, PLASTIC, CAS | |
MMBZ9V1ALY | ROHM |
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MMBZ9V1ALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ9V1ALYFH | ROHM |
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MMBZ9V1ALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ9V1ALYT116 | ROHM |
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Transient Suppressor, | |
MMBZ9V1A-T | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ9V1AT-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ9V1CA | SWST |
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瞬态电压抑制管 |