是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.82 | 最大击穿电压: | 6.51 V |
最小击穿电压: | 5.89 V | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 24 W | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.3 W | 认证状态: | Not Qualified |
标称参考电压: | 6.2 V | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 工作测试电流: | 1 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ6V2ALT1G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ6V2ALT1G | UMW |
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ESD/TVS 管 | |
MMBZ6V2ALT3 | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ6V2ALT3G | ONSEMI |
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24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
MMBZ6V2ALY | ROHM |
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MMBZ6V2ALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ6V2ALYFH | ROHM |
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MMBZ6V2ALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ6V2A-T | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ6V2AT-Q | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ6V2CA | SWST |
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瞬态电压抑制管 | |
MMBZ6V2CA-AH | SWST |
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瞬态电压抑制管 |