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MMBZ5V6ALT1G

更新时间： 2024-11-07 22:08:07

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	73K
描述
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

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MMBZ5V6ALT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SOT-23, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.05
最大击穿电压：	5.88 V	最小击穿电压：	5.32 V
击穿电压标称值：	5.6 V	最大钳位电压：	8 V
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	24 W
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压：	3 V	最大反向电流：	5 µA
反向测试电压：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

MMBZ5V6ALT1G 数据手册

MMBZ5V6ALT1 Series

Preferred Device

24 and 40 Watt Peak Power

Zener Transient Voltage

Suppressors

SOT−23 Dual Common Anode Zeners

for ESD Protection

http://onsemi.com

These dual monolithic silicon Zener diodes are designed for

applications requiring transient overvoltage protection capability. They

are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as

computers, printers, business machines, communication systems,

medical equipment and other applications. Their dual junction common

anode design protects two separate lines using only one package. These

devices are ideal for situations where board space is at a premium.

MARKING

DIAGRAM

Features

SOT−23

CASE 318

STYLE 12

xxx

• Pb−Free Packages are Available

• SOT−23 Package Allows Either Two Separate Unidirectional

Configurations or a Single Bidirectional Configuration

• Working Peak Reverse Voltage Range − 3 V to 26 V

xxx = Device Code

= Date Code

• Standard Zener Breakdown Voltage Range − 5.6 V to 33 V

• Peak Power − 24 or 40 Watts @ 1.0 ms (Unidirectional),

per Figure 5 Waveform

• ESD Rating of Class N (exceeding 16 kV) per the Human

Body Model

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

• Maximum Clamping Voltage @ Peak Pulse Current

• Low Leakage < 5.0 mA

• Flammability Rating UL 94 V−O

DEVICE MARKING INFORMATION

See specific marking information in the device marking

column of the table on page 3 of this data sheet.

Mechanical Characteristics

CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case

FINISH: Corrosion resistant finish, easily solderable

MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:

260°C for 10 Seconds

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Package designed for optimal automated board assembly

Small package size for high density applications

Available in 8 mm Tape and Reel

Use the Device Number to order the 7 inch/3,000 unit reel.

Replace the “T1” with “T3” in the Device Number to order the

13 inch/10,000 unit reel.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

August, 2004 − Rev. 7

MMBZ5V6ALT1/D

12 3 4 5 6 7 8

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MMBZ5V6ALT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SZMMBZ5V6ALT1G	ONSEMI	类似代替	Dual Common Anode Zener Diode Protection
MMBZ5V6ALT3G	ONSEMI	类似代替	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors

与MMBZ5V6ALT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBZ5V6ALT3	ONSEMI	获取价格	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
MMBZ5V6ALT3G	ONSEMI	获取价格	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
MMBZ5V6ALY	ROHM	获取价格	MMBZ5V6ALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。
MMBZ5V6ALYFH	ROHM	获取价格	MMBZ5V6ALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。
MMBZ5V6A-T	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction
MMBZ5V6AT-Q	NEXPERIA	获取价格	Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction
MMBZ5V6B	FAIRCHILD	获取价格	24 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressor
MMBZ5V6CA	SWST	获取价格	瞬态电压抑制管
MMBZ5V6CA-AH	SWST	获取价格	瞬态电压抑制管
MMBZ6.8VDC-GS08	VISHAY	获取价格	DIODE 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Transient Su

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